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원자층증착법을 이용한 차세대 초격자 상변화 메모리 개발 및 동작 원리 규명, ‘Advanced Materials’에 게재

황철성 석좌교수 연구팀(제 1저자: 유찬영)이 원자층증착법을 이용한 차세대 초격자 상변화 메모리를 개발했다. 초격자구조의 상변화 메모리는 기존보다 7배 낮은 전류로 동작이 가능하며 연구팀은 이를 원자층증착법으로 구현했다. 원자층증착법은 수직벽면에서도 초격자구조를 유지시킴으로써 차세대 수직형 상변화메모리에 적용될 수 있다. 또한 연구팀은 동작 전/후의 결정구조를 분석함으로써 기존과는 다른 새로운 메커니즘을 제시하여 차세대 고밀도 상변화 메모리에 유용하게 활용될 것으로 기대된다. 해당 연구는 한국, 미국, 중국 등에 있는 6개의 다른 기관(KIST, ECNU) 및 회사(SK Hynix, Intel)가 공동으로 진행했으며 ‘Advanced Materials’에 게재되었다.