서울대학교 재료공학부 이태우 교수와 이관형 교수가 Sb2O3 분자 결정 기반 초저전력 memristor 연구의 학술적 의의를 담은 News & Views를 저명 국제학술지 Nature Nanotechnology에 게재하였다.
기사에서 소개된 Sb2O3 분자 결정 기반 memristor는 기존의 산화물 기반 memristor가 지녔던 높은 에너지 소비와 낮은 내구성의 한계를 극복하였다. 해당 연구팀은 전산 모사와 실험적 검증을 통해 interstitial pathway를 통한 이온 이동 메커니즘을 규명하였으며, 이를 바탕으로 고신뢰성의 뉴로모픽 컴퓨팅 시스템 구현의 기반을 제공할 것으로 기대된다.
본 기사에서는 Sb2O3 분자 결정 기반 memristor의 연구 성과를 조명하는 동시에, 향후 실제 컴퓨팅 응용을 위해 극복해야 할 도전 과제들도 함께 제시한다.
▲ (좌측부터) 재료공학부 이태우 교수님, 이관형 교수님
▲ 산화물 기반과 분자 결정 기반 memristor의 전도성 필라멘트 형성 메커니즘 비교 모식도