이관형 교수는 과학기술정보통신부와 한국연구재단이 주관하는 “이달의 과학기술인상” 12월 수상자로 선정되었다.
이번 수상은 대면적·단결정의 2차원 반도체 성장 플랫폼인 ‘하이포택시’ 공정을 세계 최초로 개발함으로써 대한민국 반도체 기술의 위상을 높인 공로를 인정받은 결과이다.
하이포택시 공정으로 기존 에피택시 성장의 한계를 극복하고, 다양한 기판 위에서도 단결정 박막을 자유롭게 형성할 수 있는 원천 기술을 확보함으로써 초저전력 AI 반도체 상용화를 앞당길 수 있는 토대를 마련하였으며,
해당 연구 성과는 세계 최고 권위의 학술지 Nature 에 게재되며 학계와 산업계의 큰 주목을 받았다.
또한 이번 수상을 통해 서울대학교 재료공학부의 탁월한 연구 역량을 다시 한번 입증하였다.
▲ (좌측) 이관형 교수, (중앙) 하이포택시 공정 개념도, (우측) 수상관련 기사모음