이관형 교수님 연구팀 (제1저자: 문동훈 박사, 김유나 박사과정, 이지원 석사)은 “hypotaxy” 성장 기술을 활용해 그래핀 템플릿 하부에 위치한 금속 박막을 선택적으로 칼코겐화함으로써, 횡방향 Mo-MoS2 접합과 수직 구조의 MoS2/Mo 접촉을 구현했다.
연구팀은 그래핀 두께와 금속 두께를 정밀하게 제어함으로써 특정 영역에서만 황화반응을 유도할 수 있음을 규명했으며, 이를 통해 기존 리소그래피 및 금속 증착 과정에서 발생하던 오염을 최소화 한 2차원 반도체 소자의 집적 전략을 제시했다.
본 연구 성과는 기능성 재료 연구 분야 저명 국제학술지 Advanced Functional Materials에 게재되었다.
▲ (좌측) 이관형 교수, 문동훈 박사, 김유나 박사과정, 이지원 석사
(우측) Hypotaxy 합성법에 따른 2종 컨택 형성 모식도 및 컨택 구조의 TEM 이미지