재료공학부 강기훈 교수 연구팀, 페로브스카이트 박막 형성 메커니즘 기반 트랜지스터 성능 향상법 개발
서울대학교 재료공학부 강기훈 교수, 물리천문학부 이탁희 교수 연구팀 (제1저자: 공태현 학부생, 김용진 박사과정)이 차세대 전자 소재인 페로브스카이트의 박막 형성 메커니즘을 규명, 이를 활용한 트랜지스터 성능 향상법을 개발하였다. 열처리로 유도된 상변화를 통한 결함 제어에 기반한 전략은 태양 전지, 발광 소자 등 다양한 응용 디바이스에 활용될 것으로 기대되며, 본 성과는 소재 분야 국제 학술지 ACS Applied Materials & Interfaces에 게재되었다. 본 논문의 제1저자인 공태현 학생은 강기훈 교수 연구실의 학부 인턴으로서 연구를 수행하였으며, MIT 공과대학 박사과정 진학을 앞두고 있다.
▲ 강기훈 교수, 공태현 학부생, 김용진 박사과정, 이탁희 교수/ 열처리에 따른 트랜지스터 성능 변화 모식도